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4分钟前 标牌曝光显影公司来电咨询 利成感光[利成感光38dbdb8]内容：显影液表面停留（puddle）：为了让显影液与光刻胶进行充分反应，显影液喷淋后需要在硅片表面停留一般为几十秒到一两分钟。显影液去除并且清洗（rinse）：达到显影时间后，使用DIW立即冲洗晶圆表面。将显影液涂覆在曝光后的晶圆表面上，正胶的曝光区域和负胶的非曝光区域溶于显影液中，进一步将反应聚合物和显影液残留冲洗后，就可以显现出光刻胶中的图形，

曝光：使用紫外线曝光机将掩膜上的图案投射到光刻胶上。显影：使用显影液将未曝光的光刻胶清除掉，将芯片图案暴露出来将显影液涂覆在曝光后的晶圆表面上，正胶的曝光区域和负胶的非曝光区域溶于显影液中，进一步将反应聚合物和显影液残留冲洗后，就可以显现出光刻胶中的图形，曝光一般在曝光机内进行，目前的曝光机依据光源冷却方式可分为风冷和水冷，

曝光显影是一种工程加工技术，用于制造半导体芯片、液晶显示器等微电子器件，以及印刷和摄影等领域。曝光显影使用特定的光刻胶和掩膜，在曝光和显影两个步骤中将所需的图案或形状转移到底材表面。尽管对193i负胶的研发已经倾注了很大的努力，但是其性能仍然与正胶有比较大的差距，所以提出负显影（Negative Tone Develop，NTD）。用负显影工艺可以实现较窄的沟槽，负显影工艺已经被广泛用于20纳米及以下技术节点的量产中 [1] 。